Modeling Leakage Current Variations Starting From Threshold Voltage Shift in SiC MOSFETs Submitted to Positive Gate Stress

Zappalà G.;Marcuzzi A.;De Santi C.;Meneghesso G.;Zanoni E.;Meneghini M.
2026
2026
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
WOS:001817323400001
2-s2.0-105044382953
W7167608681
01.01 - Articolo in rivista
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