MARINO, FABIO ALESSIO
MARINO, FABIO ALESSIO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Analysis of off-state leakage mechanisms in GaN-based MIS-HEMTs: Experimental data and numerical simulation
2015 Marino, FABIO ALESSIO; Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; Verzellesi, G.; Zanoni, Enrico; Van Hove, M.; You, S.; Decoutere, S.; Marcon, D.; Stoffels, S.; Ronchi, N.; Meneghesso, Gaudenzio
Double Control Gate Field-Effect Transistor for Area Efficient and Cost Effective Applications
2014 Marino, FABIO ALESSIO; Stocco, Antonio; Barbato, Marco; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Double-Halo Field-Effect Transistor—A Multifunction Device to Sustain the Speed and Density Rate of Modern Integrated Circuits
2011 Marino, FABIO ALESSIO; Meneghesso, Gaudenzio
Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology
2007 Tazzoli, Augusto; Marino, FABIO ALESSIO; Cordoni, M; Benvenuti, A; Colombo, P; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Kinetics of Buffer-Related RON-Increase in GaN-on-Silicon MIS-HEMTs
2014 Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; Marino, FABIO ALESSIO; D., Marcon; S., Stoffels; M. V., Hove; S., Decoutere; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Multifunctional Field-Effect Transistor for High-Density Integrated Circuits
2011 Marino, FABIO ALESSIO; Meneghesso, Gaudenzio