Reliability and failure physics of GaN HEMT, MIS-HEMT and p-gate HEMTs for power switching applications: Parasitic effects and degradation due to deep level effects and time-dependent breakdown phenomena

ZANONI, ENRICO;MENEGHINI, MATTEO;MENEGHESSO, GAUDENZIO;BISI, DAVIDE;ROSSETTO, ISABELLA;STOCCO, ANTONIO
2015
2015
WiPDA 2015 - 3rd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications
3rd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2015
WOS:000380466000016
2-s2.0-84963616015
9781467378857
9781467378857
04.01 - Contributo in atti di convegno
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