Cryogenic-temperature investigation of negative bias stress inducing threshold voltage instabilities on 4H-SiC MOSFETs
Masin F.;De Santi C.;Meneghesso G.;Zanoni E.;Meneghini M.
2022
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.