Analysis and Modeling of VthShift in 4H-SiC MOSFETs at Room and Cryogenic-Temperature

Masin F.;De Santi C.;Meneghesso G.;Zanoni E.;Meneghini M.
2022
2022
Proceedgins of 2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
WOS:000922926400129
2-s2.0-85130717679
978-1-6654-7950-9
04.01 - Contributo in atti di convegno
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