Field-related failure of GaN-on-Si HEMTs: Dependence on device geometry and passivation

ROSSETTO, ISABELLA;MENEGHINI, MATTEO;MENEGHESSO, GAUDENZIO;ZANONI, ENRICO
2017
2017
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
WOS:000392092500011
2-s2.0-85008452773
01.01 - Articolo in rivista
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