Study and characterization of GaN MOS capacitors: Planar vs trench topographies

K. Mukherjee;C. De Santi;G. Meneghesso;E. Zanoni;M. Meneghini
2022
2022
APPLIED PHYSICS LETTERS
WOS:000827448000008
2-s2.0-85128852816
01.01 - Articolo in rivista
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