Avalanche capability and recoverable breakdown walkout in polarization-doped vertical GaN pn diodes

E. Fabris;C. De Santi;A. Caria;G. Meneghesso;E. Zanoni;M. Meneghini
2019
2019
Proceedings of the 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
04.01 - Contributo in atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/3333371
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
  • OpenAlex ND
social impact