BUTTARI, DARIO
BUTTARI, DARIO
2.1 A/mm current density AlGaN/GaN HEMT
2003 Chini, Alessandro; Coffie, R.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Buttari, Dario; Heikman, S.; Keller, S.; Mishra, U. K.
DC and Pulsed measurements of on-state breakdown voltage
1999 Meneghesso, Gaudenzio; G., Massari; Buttari, Dario; A., Bortoletto; M., Maretto; Zanoni, Enrico
Measurements of the InGaAs Hole Impact Ionization Coefficient in InAlAs/InGaAs pnp HBTs
2001 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H.
Parasitic effects and long term stability of InP-based HEMTs
2000 Meneghesso, Gaudenzio; R., Luise; Buttari, Dario; Chini, Alessandro; H., Yokoyama; T., Suemitsu; Zanoni, Enrico
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Moran, B.; Heikman, S.; Zhang, N. Q.; Shen, L.; Coffie, R.; Denbaars, S. P.; Mishra, U. K.
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; P., Chavarkar; R., Coffie; N. Q., Zhang; S., Heikinan; L., Shen; H., Xing; C., Zheng; U. K., Mishra