Comparison of breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in voltage and current controlled mode: electrical and optical characterization

MENEGHINI, MATTEO;CARRARO, SIMONE;FERRETTI, MARCO;ZANONI, ENRICO;MENEGHESSO, GAUDENZIO
2013
2013
TWHM2013 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
TWHM2013 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
04.01 - Contributo in atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/2751286
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
  • OpenAlex ND
social impact