Time-Dependent Breakdown Mechanisms and Reliability Improvement in Edge Terminated AlGaN/GaN Schottky Diodes under HTRB Tests

ROSSETTO, ISABELLA;MENEGHINI, MATTEO;
2017
2017
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
WOS:000395878000022
2-s2.0-85013994252
01.01 - Articolo in rivista
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