SHARMA, CHANDAN
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 82
EU - Europa 64
AS - Asia 57
Totale 203
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 81
IT - Italia 46
IN - India 14
SG - Singapore 13
TW - Taiwan 13
CN - Cina 8
FR - Francia 5
HK - Hong Kong 5
FI - Finlandia 4
JP - Giappone 4
BE - Belgio 2
DE - Germania 2
GB - Regno Unito 2
GR - Grecia 1
MX - Messico 1
NL - Olanda 1
SE - Svezia 1
Totale 203
Città #
Padova 29
Chandler 16
Santa Clara 14
Singapore 10
Fairfield 8
Cambridge 7
Chennai 7
Hsinchu 7
Galliate Lombardo 5
Beijing 4
Boardman 4
Delhi 4
Helsinki 4
Riese Pio X 4
Tokyo 4
Ashburn 3
Ma On Shan 3
Patna 3
Taichung 3
Taipei 3
Toulouse 3
Brussels 2
Des Moines 2
Los Angeles 2
Medford 2
Princeton 2
Seattle 2
Wilmington 2
Central 1
Hong Kong 1
Hounslow 1
Houston 1
Kilburn 1
Legnago 1
Nijmegen 1
Roxbury 1
Woodbridge 1
Totale 168
Nome #
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications 94
Failure mechanisms of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: From interdiffusion effects to hot-electrons degradation 50
Role of the AlGaN Cap Layer on the Trapping Behaviour of N-Polar GaN MISHEMTs 38
Detrapping Kinetics in N-polar AlGaN/GaN MIS-HEMTs 24
Totale 206
Categoria #
all - tutte 1.201
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.201


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/20217 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 7
2021/202238 0 0 0 0 0 4 7 9 3 1 4 10
2022/202344 4 1 1 0 12 7 2 4 5 0 1 7
2023/202470 11 11 9 4 2 9 4 1 1 7 3 8
2024/202547 2 6 6 8 14 11 0 0 0 0 0 0
Totale 206