BERTIN, MARCO
 Distribuzione geografica
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Continente #
NA - Nord America 1.110
AS - Asia 477
EU - Europa 210
AF - Africa 65
SA - Sud America 51
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 6
OC - Oceania 6
Totale 1.925
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Nazione #
US - Stati Uniti d'America 1.077
SG - Singapore 182
CN - Cina 95
VN - Vietnam 64
HK - Hong Kong 34
IT - Italia 32
BR - Brasile 26
DE - Germania 23
PL - Polonia 23
FR - Francia 21
IN - India 20
FI - Finlandia 17
SE - Svezia 10
GB - Regno Unito 9
RU - Federazione Russa 9
BD - Bangladesh 7
TR - Turchia 7
AD - Andorra 6
IE - Irlanda 6
PK - Pakistan 6
ID - Indonesia 5
IQ - Iraq 5
IS - Islanda 5
JP - Giappone 5
KZ - Kazakistan 5
PA - Panama 5
SA - Arabia Saudita 5
ZA - Sudafrica 5
AO - Angola 4
BE - Belgio 4
CG - Congo 4
CL - Cile 4
CW - ???statistics.table.value.countryCode.CW??? 4
EC - Ecuador 4
ES - Italia 4
LC - Santa Lucia 4
MA - Marocco 4
MW - Malawi 4
NO - Norvegia 4
PE - Perù 4
TJ - Tagikistan 4
UA - Ucraina 4
AR - Argentina 3
AT - Austria 3
BJ - Benin 3
BY - Bielorussia 3
EE - Estonia 3
GE - Georgia 3
KE - Kenya 3
KH - Cambogia 3
MR - Mauritania 3
MX - Messico 3
NI - Nicaragua 3
NL - Olanda 3
PH - Filippine 3
SN - Senegal 3
TN - Tunisia 3
AL - Albania 2
AM - Armenia 2
AU - Australia 2
BB - Barbados 2
BW - Botswana 2
CH - Svizzera 2
CM - Camerun 2
CO - Colombia 2
CY - Cipro 2
CZ - Repubblica Ceca 2
DJ - Gibuti 2
DO - Repubblica Dominicana 2
GF - Guiana Francese 2
GT - Guatemala 2
JO - Giordania 2
LA - Repubblica Popolare Democratica del Laos 2
ME - Montenegro 2
MK - Macedonia 2
MU - Mauritius 2
PR - Porto Rico 2
PT - Portogallo 2
PY - Paraguay 2
RS - Serbia 2
SD - Sudan 2
TH - Thailandia 2
TZ - Tanzania 2
VC - Saint Vincent e Grenadine 2
VE - Venezuela 2
BA - Bosnia-Erzegovina 1
BF - Burkina Faso 1
BS - Bahamas 1
BZ - Belize 1
CA - Canada 1
CI - Costa d'Avorio 1
CR - Costa Rica 1
DM - Dominica 1
EG - Egitto 1
ET - Etiopia 1
EU - Europa 1
GA - Gabon 1
GH - Ghana 1
GM - Gambi 1
GN - Guinea 1
Totale 1.886
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Città #
Ashburn 169
Woodbridge 149
San Jose 129
Singapore 103
Fairfield 93
Ann Arbor 70
Houston 50
Wilmington 46
Santa Clara 42
Chandler 37
Cambridge 34
Beijing 33
Hong Kong 33
Seattle 32
Bytom 18
Boardman 15
Dong Ket 15
Munich 14
Ho Chi Minh City 13
Nanjing 13
San Diego 12
Lauterbourg 11
Medford 11
Princeton 11
Des Moines 10
Bengaluru 7
Los Angeles 7
Hanoi 6
Helsinki 6
Modena 6
Andorra la Vella 5
Dublin 5
Jacksonville 5
Padova 5
Panama City 5
Reykjavik 5
Brooklyn 4
Castries 4
Hải Dương 4
Quảng Ngãi 4
Redwood City 4
Willemstad 4
Almaty 3
Brazzaville 3
Chicago 3
Cotonou 3
Dakar 3
Dushanbe 3
Guangzhou 3
Haiphong 3
Jeddah 3
Lilongwe 3
Lima 3
Luanda 3
Managua 3
Nairobi 3
New York 3
Nouakchott 3
Parma 3
Rio de Janeiro 3
Salt Lake City 3
San Francisco 3
Shenyang 3
São Paulo 3
Tokyo 3
Washington 3
Amman 2
Ankara 2
Astana 2
Bovolenta 2
Brussels 2
Cape Town 2
Cayenne 2
Da Nang 2
Dar es Salaam 2
Denver 2
Djibouti 2
Erbil 2
Farra di Soligo 2
Gaborone 2
Hebei 2
Indiana 2
Islamabad 2
Jakarta 2
Jiaxing 2
Jinan 2
Johannesburg 2
Kingstown 2
Krakow 2
Lahore 2
Limassol 2
Malang 2
Milan 2
Mumbai 2
Orem 2
Phnom Penh 2
Quito 2
Ribeirão Preto 2
Santiago 2
Santo Domingo 2
Totale 1.389
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Nome #
Degradation of AlGaN/GaN Schottky diodes on silicon: Role of defects at the AlGaN/GaN interface 270
A novel degradation mechanism of AlGaN/GaN/Silicon heterostructures related to the generation of interface traps 246
Electrical and Electroluminescence Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Operated in Sustainable Breakdown Conditions 216
Electroluminescence analysis of time-dependent reverse-bias degradation of HEMTs: a complete model 197
Time-dependent degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under reverse bias 176
OFF-State Degradation of AlGaN/GaN Power HEMTs: Experimental Demonstration of Time-Dependent Drain-Source Breakdown 166
Degradation of AlGaN/GaN HEMTs below the “critical voltage”: a time-dependent analysis 147
Time dependent Degradation of AlGaN/GaN HEMTs 138
Study of Time-Dependent Degradation of Reverse Biased AlGaN/GaN HEMTs 126
Reverse-Bias Degradation of AlGaN/GaN Vertical Schottky Diodes: An Investigation Based on Electrical and Capacitive Measurements 124
Evidence for breakdown luminescence in AlGaN/GaN HEMTs 119
Totale 1.925
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Categoria #
all - tutte 5.595
article - articoli 2.522
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 8.117
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Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/202138 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 16 22
2021/2022115 1 12 14 17 5 8 1 18 6 0 5 28
2022/202395 14 1 1 8 17 17 0 14 18 1 3 1
2023/202439 2 12 3 1 1 2 1 0 3 2 4 8
2024/2025253 0 23 13 15 38 23 18 19 11 5 44 44
2025/2026821 22 76 88 126 104 31 109 94 88 52 31 0
Totale 1.925