1/f Noise in Drain and Gate Current of MOSFETs With High-k Gate Stacks

Magnone, P; Crupi, F; Giusi, G; Pace, C; Simoen, E; Claeys, C; Pantisano, L; Maji, D; V R, Rao; Srinivasan, P

doi:10.1109/TDMR.2009.2020406

1/f Noise in Drain and Gate Current of MOSFETs With High-k Gate Stacks

Magnone P;Crupi F;Giusi G;Pace C;Simoen E;Claeys C;Pantisano L;Maji D;Rao V R;Srinivasan P

2009

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Scheda completa

Scheda completa (DC)

	Anno
	
				2009
			
	Rivista su cui è pubblicata l'opera
	
				IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY
			
	Codice DOI
	
				https://dx.doi.org/10.1109/TDMR.2009.2020406
			
	Codice WOS
	
				WOS:000266722900012
			
	Codice Scopus
	
				2-s2.0-67650407666
			
	Appare nelle tipologie:
	
				01.01 - Articolo in rivista

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